N-Channel MOSFET, 110 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB Infineon IRF3205ZPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.69mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.54mm
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Inaltime
8.77mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,36
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 1,618
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 1,36
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 1,618
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,36 | € 68,00 |
| 100 - 200 | € 1,07 | € 53,50 |
| 250 - 450 | € 1,00 | € 50,00 |
| 500 - 950 | € 0,93 | € 46,50 |
| 1000+ | € 0,86 | € 43,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Dimensiune celula
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
170 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.69mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.54mm
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Inaltime
8.77mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse