N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
660 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Dimensiune celula
SIPMOS
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.8 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 5 V
Inaltime
1.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,58
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,69
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 0,58
Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 0,69
Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 0,58 | € 580,00 |
| 2000+ | € 0,53 | € 530,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
660 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Dimensiune celula
SIPMOS
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.8 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 5 V
Inaltime
1.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse