N-Channel MOSFET, 82 A, 25 V, 8-Pin SuperSO Infineon BSC026NE2LS5ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
82 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SuperSO
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
29 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Latime
6.35mm
Dimensiune celula
OptiMOS 5
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
82 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Tip pachet
SuperSO
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
29 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Latime
6.35mm
Dimensiune celula
OptiMOS 5
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse